特許

J-GLOBAL ID：200903023266167895

半導体装置およびその製造方法

発明者： 中村 嘉文 ,  佐原 隆一 ,  戒能 憲幸 ,  下石坂 望 ,  隈川 隆博
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-299058
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118956
出願日： 1999年10月21日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】 段差部の配線にクラックが発生しにくい半導体装置を提供すること。【解決手段】 電極端子3が形成された主面を有する半導体素子2と、半導体素子2の主面上に形成され、電極端子3を露出している絶縁層4と、絶縁層4上に形成された外部端子9と、電極端子3と外部端子9とに電気的に接続された配線とを有し、絶縁層4はテーパ状または階段状の側面8を有しており、配線6の一部は絶縁層4のテーパ状または階段状の側面8上に形成されている半導体装置である。

請求項（抜粋）：

電極端子が形成された主面を有する半導体素子と、前記半導体素子の前記主面上に形成され、前記電極端子を露出している絶縁層と、前記絶縁層上に形成された外部端子と、前記電極端子と前記外部端子とに電気的に接続された配線と、を有し、前記絶縁層はテーパ状または階段状の側面を有しており、前記配線の一部は前記絶縁層のテーパ状または階段状の前記側面上に形成されている半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60

FI (4件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 603 G ,  H01L 21/92 604 S

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-077032   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-050530   出願人：キヤノン株式会社
• 特開昭59-084529
  

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-077032   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-050530   出願人：キヤノン株式会社
• 特開昭59-084529