特許
J-GLOBAL ID：200903023452659609
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-050530
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251353
出願日： 1998年03月03日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 半田ボールなどの金属ボールの括れが発生する箇所での、絶縁部材のスルーホールに簡単な加工上の工夫を施し、これによって、熱応力ストレスによる金属ボールのクラック、破断などを回避できるようにした半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁部材と、前記絶縁部材の片面に配置された半導体チップと、前記片面に配置され且つ前記半導体チップと接合する配線パターンと、前記絶縁部材に設けられたスルーホールと、前記半導体チップ及び前記配線パターンを封止する封止材を有する半導体装置において、前記片面の反対面における前記スルーホールの開口径は前記片面における開口径よりも大きいことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
絶縁部材と、前記絶縁部材の片面に配置された半導体チップと、前記片面に配置され且つ前記半導体チップと接合する配線パターンと、前記絶縁部材に設けられたスルーホールと、前記半導体チップ及び前記配線パターンを封止する封止材を有する半導体装置において、前記片面の反対面における前記スルーホールの開口径は前記片面における開口径よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 301
, H01L 23/12
, H05K 3/34 507
H01L 21/60 301 A
, H05K 3/34 507 C
, H01L 23/12 L
