特許
J-GLOBAL ID：200903023284421251

熱処理評価用ウェ-ハおよびこれを用いた熱処理評価方法

発明者：
吉見 年弘

吉見 年弘 について

, 
エム・ビ-・シャバニ-

エム・ビ-・シャバニ- について


出願人/特許権者：
三菱マテリアルシリコン株式会社

三菱マテリアルシリコン株式会社 について

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三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-038499
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223713
出願日： 1997年02月05日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 高感度で、しかも容易に熱処理プロセスの高精度な汚染評価ができる熱処理評価用ウェーハおよびこれを用いた熱処理評価方法を提供する。【解決手段】 シリコンウェーハ11の表面に順次積層されたゲッタリング層12とSiO2膜層13を有するシリコンウェーハ11を、熱処理評価の対象熱プロセスの加熱炉へ投入し、テスト熱処理する。この際、金属不純物の拡散速度差により、ある金属不純物はゲッタリング層12に捕獲され、別の金属不純物はSiO2膜層13に捕獲される。その後、各層12、13を溶かして、両層12、13に拡散された金属不純物を分析して、加熱炉の汚染状態を評価する。これにより、高感度で、しかも容易に熱処理プロセスの高精度な汚染評価が可能となる。
請求項（抜粋）：
酸素濃度が1.3×1018atoms/cm3以下で、かつ表面が鏡面加工されたシリコンウェーハと、該シリコンウェーハの少なくとも片面に形成されて、熱処理過程時にウェーハ内部へ拡散する金属不純物を捕獲するゲッタリング層と、該ゲッタリング層の表面に形成されたSiO2膜層と、を備えた熱処理評価用ウェーハ。
IPC (4件)：
H01L 21/66 ,  G01N 1/28 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/322
FI (4件)：
H01L 21/66 L ,  H01L 21/324 T ,  H01L 21/322 G ,  G01N 1/28 X
引用特許：
審査官引用 (4件)
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