太陽電池及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-247386
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077380
出願日： 1999年09月01日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】太陽電池セルの光電変換効率を減らすことなく、太陽電池の出力特性の安定化、高性能化を可能にする。【解決手段】第1導電型半導体基板及びその受光面側に形成された第1の第2導電型領域からなる太陽電池セルと、第1の第2導電型半導体領域と所定の距離で対向し且つ第1導電型半導体基板の電位と同電位になるように形成された第2の第2導電型半導体領域、第1の第2導電型半導体領域と第2の第2導電型半導体領域間に位置する第1導電型半導体基板の表面に形成された絶縁膜及びその絶縁膜の表面に第1または第2の第2導電型半導体領域の電位と同電位になるよう形成されたゲート電極からなるMOS型トランジスタとから構成される。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板及びその受光面側に形成された第1の第2導電型領域からなる太陽電池セルと、第1の第2導電型半導体領域と所定の距離で対向し且つ第1導電型半導体基板の電位と同電位になるように形成された第2の第2導電型半導体領域、第1の第2導電型半導体領域と第2の第2導電型半導体領域間に位置する第1導電型半導体基板の表面に形成された絶縁膜及びその絶縁膜の表面に第1または第2の第2導電型半導体領域の電位と同電位になるよう形成されたゲート電極からなるMOS型トランジスタとから構成されたことを特徴とする太陽電池。

Fターム (7件)：

5F051AA03 , 5F051AA05 , 5F051EA01 , 5F051EA20 , 5F051JA07 , 5F051KA01 , 5F051KA10

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-047878 出願人：インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション
太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-241391 出願人：シャープ株式会社, 宇宙開発事業団
太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-269568 出願人：シヤープ株式会社

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