半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-047878
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284591
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】単一のウェハに形成される多数のセル半導体装置の各々のセルを絶縁的に分離するために使用されるトレンチ構造を含む新規装置構造を提供する。【解決手段】軽くドープされたP型またはN型出発ウェハにN+またはP+拡散域が形成される。独立したプレーナ型でかつスペースをおいたセルまたはタブがその後上記P+(またはN+)拡散域の間をインターセクトするトレンチの構成をエッチングによって形成する。このトレンチ部は所定の深さまで薄い装置層を通して延び絶縁体とポリシリコンとを充填して上記タブの各々を絶縁的に分離している。各セルの少なく一つの拡散域は隣接するセルの拡散域と接続して上記セルの所定数の各々を接続する。このN+またはP+拡散域はリング形状のP+またはN+コンタクト拡散域によって囲むことができる。MOSゲート装置はこの同一チップ内に集積することができ、また、縦型または横型MOSFETまたはIGBTであってもよい。

請求項（抜粋）：

シリコン基板に半導体装置を構成するにあたり、上記シリコン基板の上面の選択された領域をパターニングしてエッチングし、シリコン領域とは間隔をおいてそれを囲むトレンチを形成し、少なくとも一つの分離されたセルを形成し、上記トレンチの側壁及び底面ならびにそのトレンチの側壁に隣接する上記基板の上面の一部に絶縁層を形成し、上記基板の上面及びトレンチ内にポリシリコン層を上記トレンチ内は充填されるように形成し、上記基板の上面に形成されている上記ポリシリコン層の一部を除去する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/76 , H01L 29/78 , H01L 31/042

FI (3件)：

H01L 21/76 L , H01L 29/78 655 Z , H01L 31/04 C

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭53-055994
特開昭54-082987
光起電力装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-003680 出願人：インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション

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