特許
J-GLOBAL ID：200903023308499907

検査システムおよび半導体デバイスの製造方法

発明者：
小野 眞

小野 眞 について

, 
岩田 尚史

岩田 尚史 について

, 
霧野 啓子

霧野 啓子 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-334915
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141384
出願日： 2000年10月30日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：
【要約】【課題】半導体集積回路などの電子デバイスを形成するワークの異物やパターン欠陥の検査において、電気的に不良になる可能性の欠陥を優先的に解析する方法とシステムを提供する。【解決手段】欠陥マップデータを欠陥マップデータ読出し処理11で読み出し、不良確率データを不良確率データ読出し処理12で読み出す。次に、欠陥別不良確率算出処理13で、欠陥マップデータ中の各欠陥の不良確率を算出し、不良確率付き欠陥マップデータを作成する。さらに、レビュー対象選出処理14で、不良確率付き欠陥マップデータから欠陥の整列や絞込みを行い、レビュー対象を選出する。
請求項（抜粋）：
被検査対象の有する異物もしくはパターン欠陥の位置と大きさを検出する検査装置と、該検査装置の検出した異物もしくはパターン欠陥の画像を取得する画像取得装置と、該検査装置および該画像取得装置とネットワークを介して接続され、該検査装置が検出して得た検査データと被検査対象に形成されるLSIチップ内に設定した領域の位置情報と該LSIチップ内に設定した領域における異物もしくはパターン欠陥の大きさに対する不良発生率に関する情報とを記憶する記憶手段と、該検査装置が検出して得た検査データから被検査対象に形成されるLSIチップ内に設定した領域に位置する欠陥であるか否かを算出し、該領域に位置する欠陥の大きさから不良発生率を算出する算出手段と、該算出した不良発生率が所定値以上となる異物もしくはパターン欠陥を選択する選択手段とを備え、該画像取得装置が該解析ユニットが選択した異物もしくはパターン欠陥の画像を取得するように構成したことを特徴とする検査システム。
IPC (7件)：
H01L 21/66 ,  G01B 11/30 ,  G01N 21/956 ,  G06T 1/00 305 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (7件)：
H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 Z ,  G01B 11/30 A ,  G01N 21/956 A ,  G06T 1/00 305 A ,  H01L 21/82 T ,  H01L 27/04 U
Fターム (55件)：
2F065AA03 ,  2F065AA49 ,  2F065AA58 ,  2F065BB13 ,  2F065BB27 ,  2F065CC19 ,  2F065DD00 ,  2F065FF04 ,  2F065QQ00 ,  2F065QQ01 ,  2F065QQ04 ,  2F065QQ24 ,  2F065QQ28 ,  2F065QQ41 ,  2F065SS02 ,  2F065SS04 ,  2F065SS13 ,  2F065TT03 ,  2F065UU05 ,  2G051AA51 ,  2G051AB02 ,  2G051EA11 ,  2G051EA12 ,  2G051EA14 ,  2G051EA21 ,  2G051EC02 ,  2G051FA01 ,  4M106CA39 ,  4M106CA41 ,  4M106DA15 ,  4M106DB04 ,  4M106DJ21 ,  5B057AA03 ,  5B057BA02 ,  5B057CA08 ,  5B057CA12 ,  5B057CB08 ,  5B057CB12 ,  5B057CC01 ,  5B057CH18 ,  5B057DA03 ,  5B057DA08 ,  5B057DB02 ,  5B057DB09 ,  5B057DC30 ,  5F038DF05 ,  5F038DF11 ,  5F038EZ20 ,  5F064BB12 ,  5F064BB31 ,  5F064BB33 ,  5F064DD14 ,  5F064HH01 ,  5F064HH06 ,  5F064HH10
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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