特許
J-GLOBAL ID：200903023374682380
面発光半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-274044
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112088
出願日： 1997年10月07日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 イオン注入および選択酸化を用いながら、低抵抗で低しきい電流を達成し、かつ製造工程が簡単な面発光半導体レーザを提供する。【解決手段】 n形GaAs基板101上に下部ミラー102を形成する。次に、浅いイオン注入を行い、電流狭窄領域となるイオン注入領域108を形成する。その後、SiO2膜マスク109を形成し、SiO2膜マスク109に覆われていない領域の上に活性領域104および上部ミラー105を含んだ積層構造を選択成長させる。
請求項（抜粋）：
活性層を含む活性領域と、前記活性領域を挟む下部ミラーおよび上部ミラーとを備えた面発光半導体レーザであって、電流狭窄領域が前記活性層の下に位置する閉領域を囲むように配置されており、しかも、前記電流狭窄領域はイオンが注入された高抵抗層から形成されていることを特徴とする面発光半導体レーザ。
引用特許：
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