特許

J-GLOBAL ID：200903023375921133

半導体メモリ装置

発明者： 井上 学 ,  泉 智紹 ,  笠原 哲志 ,  田村 和明 ,  松野 公則 ,  中西 雅浩
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岡本 宜喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-040936
公開番号（公開出願番号）：特開2005-234738
出願日： 2004年02月18日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：

【課題】半導体メモリ装置において、所定の書込み単位毎に必要となるアドレス管理情報の不揮発性メモリへの書き戻し処理の最適化を可能とし、書込み性能の向上を実現する。【解決手段】アドレス管理情報とユーザデータをユニット毎に記憶する第1の不揮発性メモリ111と、アドレス管理情報を一時記憶する高速書き換え、書き換え可能回数が多い第2の不揮発性メモリ107を備える。アドレス管理情報制御部105は、ユーザデータの書込み処理に応じて第2の不揮発性メモリ107に一時記憶されたアドレス管理情報の更新制御を行う。不揮発性メモリアクセス制御部106は、ユーザデータの第1の不揮発性メモリ111への書込み制御、および第2の不揮発性メモリ107に一時記憶されているアドレス管理情報を第1の不揮発性メモリ111への書き戻し制御を行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の論理アドレス範囲に分割され、その範囲毎にアドレス管理情報とユーザデータを記憶する第1の不揮発性メモリと、 アクセス装置が指定する論理アドレスを含む論理アドレス範囲に対応したアドレス管理情報を一時記憶する第2の不揮発性メモリと、 前記第1の不揮発性メモリに対するユーザデータの書き込み処理に応じて前記第2の不揮発性メモリに一時記憶されたアドレス管理情報の更新制御を行うアドレス管理情報制御部と、 ユーザデータの前記第1の不揮発性メモリへの書き込み制御及び前記第1の不揮発性メモリよりユーザデータを読み出し制御を行うと共に、初期化時に前記第1の不揮発性メモリに保持されているいずれかの論理アドレス範囲のアドレス管理情報を前記第2の不揮発性メモリに読み込み、前記第2の不揮発性メモリに一時記憶されているアドレス管理情報を前記第1の不揮発性メモリへ書き戻す制御を行う不揮発性メモリアクセス制御部と、を具備することを特徴とする半導体メモリ装置。

IPC (2件)：

G06F12/02 ,  G06F12/00

FI (2件)：

G06F12/02 510A ,  G06F12/00 597U

Fターム (4件)：

5B060AA02 ,  5B060AA06 ,  5B060AA08 ,  5B060AA14

引用特許：

出願人引用 (3件)

• メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-113746   出願人：いわき電子株式会社
• 半導体メモリ装置ならびにその制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-261806   出願人：日立マクセル株式会社
• メモリカード及び同カードに適用されるアドレス変換方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-321310   出願人：株式会社東芝