特許

J-GLOBAL ID：200903023396354441

磁気抵抗効果素子及びその製造方法

発明者： 田沼 俊雄 ,  久米 実
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-319255
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163544
出願日： 1996年11月29日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】 磁気抵抗効果膜10の膜厚方向に電流を流すことができ、かつ磁気抵抗効果膜10の側部における電気的な短絡を生じることなく製造することができ、磁気抵抗効果膜10の磁界検出領域Dの狭小化を図ることができる磁気抵抗効果素子及びその製造方法を得る。【解決手段】 上部磁性層6と下部磁性層4,3の間に非磁性層5を介在させた積層構造を有する磁気抵抗効果膜10を、上部電極層7と下部電極層2の間の磁界検出領域Dに設けた磁気抵抗効果素子であり、上部磁性層6または上部磁性層6と非磁性層5が磁界検出領域Dに残るようにその他の領域をエッチングすることによって限定的に形成されていることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

上部磁性層と下部磁性層の間に非磁性層を介在させた積層構造を有する磁気抵抗効果膜を、上部電極層と下部電極層の間の磁界検出領域に設けた磁気抵抗効果素子において、前記上部磁性層または前記上部磁性層と前記非磁性層が前記磁界検出領域に残るようにその他の領域をエッチングすることによって限定的に形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/12

FI (3件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• スピンバルブ型磁気センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-059089   出願人：住友金属工業株式会社
• 磁気抵抗素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-010163   出願人：富士電機株式会社
• 磁気応答が制御可能な磁気トンネル接合
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-058777   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション