特許

J-GLOBAL ID：200903023407234761

半導体装置の製造方法

発明者： 齋田 繁彦 ,  今井 馨太郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-191119
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037257
出願日： 1992年07月17日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 電極に金属窒化物を用い容量絶縁膜に金属酸化物を用いた半導体装置で、その金属窒化物の電極形成後の熱処理で金属酸化膜を劣化させることなく、その金属窒化物を構造的、熱的、組成的に安定化させ、熱処理でリーク電流の増加しない大容量の半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板101上に形成され、少なくとも一方の電極を構成する導電体膜が金属窒化物から成り、金属酸化物を容量絶縁膜とするキャパシタ等の半導体装置において、その金属酸化物からなるその電極を形成後、後工程における層間絶縁膜および配線の形成に伴う熱工程を経る前に、一旦、酸化性雰囲気中または真空中で所定の熱処理を施すことを特徴とするキャパシタ等の半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成され、少なくとも一方の電極を構成する導電体膜が金属窒化物から成り、金属酸化物を容量絶縁膜とする半導体装置において、前記金属窒化物からなる前記電極を形成後、後工程における層間絶縁膜または配線の形成に伴う熱工程を経る前に、一旦、非酸化性雰囲気中または真空中で所定の熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 27/108

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜キャパシタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-150009   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-107697   出願人：富士通株式会社