シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-050951
公開番号（公開出願番号）：特開平10-231200
出願日： 1997年02月19日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：

【要約】【課題】シリコンウェーハの水素熱処理により、結晶育成時に発生した成長欠陥をウェーハ表面から3μm以上の深さまで消失させたシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハを提供する。【解決手段】単結晶シリコンインゴットから切り出したウェーハを用い、1000°C以上、1250°C未満の温度範囲において、ウェーハ表面から7μm以上の深さにおける酸素濃度が熱処理前の初期酸素濃度の1/2となるまでの間、水素ガスを含む非酸化性雰囲気中で熱処理を行う。その場合の熱処理時間t(min)は、熱処理温度をT(°C)としたとき、t(min) =6.91×10-8×exp{29360/(T+273)}なる算式から求めることができる時間以上とする。又、上記製造方法により得られたシリコンウェーハにおいては、単結晶育成時に形成された成長欠陥を、ウェーハ表面から3μm以上の深さにわたって消失させたものである。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコンインゴットから切り出したウェーハを用い、1000°C以上、1250°C未満の温度範囲において、ウェーハ表面から7μm以上の深さにおける酸素濃度が熱処理前の初期酸素濃度の1/2となるように、水素ガスを含む非酸化性雰囲気中で熱処理を行うことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。

IPC (5件)：

C30B 33/02 , C30B 15/00 , H01L 21/02 , H01L 21/208 , H01L 21/324

FI (5件)：

C30B 33/02 , C30B 15/00 Z , H01L 21/02 B , H01L 21/208 P , H01L 21/324

引用特許：

審査官引用 (4件)

シリコンウェーハ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-318440 出願人：東芝セラミックス株式会社
シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法とその熱処理装置並びにシリコン単結晶ウェーハとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-185923 出願人：住友シチックス株式会社
特開昭62-123098

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