上面にピットを設けたダイオードデバイスの製造工程

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：古谷馨 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-168632
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026025
出願日： 2001年06月04日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】製造コスト効率に対処するダイオードデバイスの製造方法の提供。【解決手段】PINダイオードのようなダイオードデバイス(30)を製造する方法であって、反対の導電性からなる上部領域と下部領域(38,40)を形成すること、及び底面に近づきながら収束する側壁(56,58,60)を有するピット(32)を形成するために上面内へ異方性エッチングすることを含む。しかし、ピットは底面まで伸びていない。PINダイオードの実施形態において、底面拡散領域を異方性エッチングされたピットの壁に沿った拡散領域から分離する真性領域(42)内に、ピットは終端する。異方性エッチング手法は、ピットの幾何学的形状に関してある程度の自己制御を行う。かかるダイオードデバイスのアレイの形成において、より厚みのある大きい直径のウェハを用いることができる。

請求項（抜粋）：

上面及び底面を有する基板(36)中にダイオードデバイス(30)を製作する方法であって、前記基板中にそれぞれ第一及び第二の導電性タイプを有する第一及び第二の活性領域(38、40)を形成するステップとからなり、そのステップは、前記上面上にピット形成用の部分を画定し、1つのピット(32)が前記基板を通して部分的に伸び、前記底面に向かって近づきながら収束する側壁(56、58、60)を持つように前記部分の中へと前記ピット(32)を異方性エッチングにより形成することを含み、前記第一の活性領域を形成するステップが前記第一の導電性タイプを持つ不純物を前記ピットの前記収束する側壁へと添加することを含み、前記第一及び第二の活性領域がバイアス電圧に応じて導電的に結合される、方法。

IPC (2件)：

H01L 21/329 , H01L 29/861

FI (2件)：

H01L 29/91 A , H01L 29/91 C

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭58-096773
特開平1-235239
特開昭63-234565

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