特許
J-GLOBAL ID：200903023428666637
短絡チャネルを有する炭化ケイ素パワー金属酸化物半導体電界効果トランジスタおよび短絡チャネルを有する炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-533381
公開番号（公開出願番号）：特表2004-519842
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)および炭化ケイ素MOSFETの製造方法が提供されている。炭化ケイ素MOSFETは、n型炭化ケイ素ドリフト層と、n型炭化ケイ素ドリフト層内の間隔を置いて配置されたp型炭化ケイ素領域であって、内部にn型炭化ケイ素領域を有するp型炭化ケイ素領域と、窒化酸化物層とを有する。またMOSFETは、n型炭化ケイ素領域のそれぞれからp型炭化ケイ素領域を通ってn型炭化ケイ素ドリフト層まで延びるn型短絡チャネルを有する。さらなる実施形態においては、ゼロゲートバイアスの印加時にソース領域を自己空乏するように構成された、n型炭化ケイ素領域とドリフト層との間にあって酸化物層に隣接する領域を含む、炭化ケイ素MOSFETおよび炭化ケイ素MOSFETの製造方法が提供されている。
請求項（抜粋）：
n型炭化ケイ素ドリフト層と、前記n型炭化ケイ素ドリフト層内にあり、n型炭化ケイ素領域を有する離間されたp型炭化ケイ素領域と、前記n型炭化ケイ素ドリフト層上の窒化酸化物層とを有する二重注入炭化ケイ素MOSFETと、
前記n型炭化ケイ素領域のそれぞれから前記p型炭化ケイ素領域を通って前記n型炭化ケイ素ドリフト層まで延びるn型短絡チャネルとを備えていることを特徴とする炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L29/78 652T
, H01L29/78 652F
, H01L29/78 658F
, H01L29/78 658A
