特許
J-GLOBAL ID：200903094275129070
炭化珪素半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-140681
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200907
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：
【要約】【課題】 ゲート酸化膜中又はゲート酸化膜と炭化珪素との界面におけるキャリアトラップを低減し、FET特性を安定にすると共にゲート酸化膜の信頼性を向上させる。【解決手段】 ゲート酸化膜7の下部に位置する表面チャネル層5を、窒素のドーピング濃度が1×1015cm-3以下で形成する。このように、窒素のドーピング濃度が1×1015cm-3以下で表面チャネル層5を形成すれば、ゲート酸化によってゲート酸化膜7を形成してもゲート酸化膜7中又はゲート酸化膜7と表面チャネル層5の界面に介在する窒化珪素が極めて少ない状態となる。このため、ゲート酸化膜7中又はゲート酸化膜7と炭化珪素との界面におけるキャリアトラップを低減でき、FET特性を安定にできると共にゲート酸化膜7の信頼性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
主表面及び主表面と反対面である裏面を有し、炭化珪素よりなるn型の半導体基板(1)と、前記半導体基板の主表面上に形成され、前記半導体基板よりも高抵抗な炭化珪素よりなるn型の半導体層(2)と、前記半導体層の表層部の所定領域に形成され、所定深さを有するp型のベース領域(3a、3b)と、前記ベース領域の表層部の所定領域に形成され、該ベース領域の深さよりも浅いn型のソース領域(4a、4b)と、前記ベース領域の表面部及び前記半導体層の表面部において、前記ソース領域と前記半導体層とを繋ぐように形成された、炭化珪素よりなるn型の表面チャネル層(5)と、前記表面チャネル層の表面に形成されたゲート絶縁膜(7)と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極(8)と、前記ベース領域及び前記ソース領域に接触するように形成されたソース電極(10)と、前記半導体基板に形成されたドレイン電極(11)とを備え、前記表面チャネル層は、窒素がドーピングされて形成されており、該窒素のドーピング濃度が1×1015cm-3以下となっていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
FI (3件)：
H01L 29/78 652 E
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 652 K
