複合回路部品

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-250177
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074140
出願日： 1995年09月04日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【目的】トランジスタとエミッタ抵抗とを含む複合回路部品の小型化、信頼性の向上を図る。【構成】トランジスタを含む半導体基板26の上に絶縁膜38を設け、この上にポリシリコンから成る抵抗膜39を設ける。この抵抗膜39の上にリンドープシリケートガラスから成る絶縁性薄膜40を設ける。エミッタ電極22を抵抗膜39の一端部の上に延在させると共に絶縁性薄膜40の上にも延在させる。抵抗取り出し電極23を抵抗膜39の上に形成すると共に絶縁性薄膜40の上に延在させる。

請求項（抜粋）：

エミッタ領域とベース領域とコレクタ領域とを含むシリコン半導体基板と、前記半導体基板の一方の主面に選択的に形成された絶縁膜と、前記半導体基板の前記一方の主面側に配置され且つ前記エミッタ領域に接続されたエミッタ電極と、前記半導体基板の前記一方の主面側に配置され且つ前記ベース領域に接続されたベース電極と、前記半導体基板の他方の主面側に配置され且つ前記コレクタ領域に接続されたコレクタ電極と、前記半導体基板の前記一方の主面の前記絶縁膜の上に配置され且つその一端部が前記エミッタ電極に接続され且つポリシリコンから成る抵抗膜と、前記抵抗膜の他端部に接続された抵抗取り出し電極とを備えた複合回路部品。

IPC (5件)：

H01L 21/8222 , H01L 27/06 , H01L 29/872 , H03F 3/26 , H01L 29/861

FI (4件)：

H01L 27/06 101 D , H03F 3/26 , H01L 29/48 F , H01L 29/91 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-232617 出願人：山形日本電気株式会社
特開平1-114076
リードフレーム及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-171895 出願人：新光電気工業株式会社

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