特許

J-GLOBAL ID：200903023453710322

蛍石単結晶の熱処理方法並びに蛍石単結晶の加工方法

発明者： 佐久間 繁 ,  高野 修一
出願人/特許権者： 株式会社ニコン ,  応用光研工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-310330
公開番号（公開出願番号）：特開2000-128700
出願日： 1998年10月30日
公開日（公表日）： 2000年05月09日
要約：

【要約】【課題】作業工程に費やす時間を低減した蛍石単結晶の熱処理方法並びに加工方法を提供する。【解決手段】昇温速度を20°C/時間以上150°C未満にする。このような速度でも、蛍石単結晶の内層部温度と表層部温度との差が6°C以内であるなら、蛍石単結晶は、適切な熱処理又は加工がなされる。

請求項（抜粋）：

気密化可能な容器内に蛍石単結晶を収納して前記容器を密閉し、前記容器内を真空排気した後に、前記容器ごと前記蛍石単結晶を該蛍石単結晶の融点よりも低い所定温度まで昇温させることにより前記蛍石単結晶を熱処理する方法において、前記所定温度までの昇温速度は、20°C/時間以上、且つ、150°C/時間未満であることを特徴とする蛍石単結晶の熱処理方法。

IPC (5件)：

C30B 33/02 ,  B28D 5/02 ,  C30B 29/12 ,  G02B 1/02 ,  G02B 1/11

FI (5件)：

C30B 33/02 ,  B28D 5/02 Z ,  C30B 29/12 ,  G02B 1/02 ,  G02B 1/10 A

Fターム (20件)：

2K009AA02 ,  2K009BB01 ,  2K009CC01 ,  3C069AA01 ,  3C069BA04 ,  3C069BB04 ,  3C069CA02 ,  3C069CB01 ,  3C069DA06 ,  3C069EA01 ,  3C069EA05 ,  4G077AA02 ,  4G077BE02 ,  4G077CD01 ,  4G077FE02 ,  4G077FE11 ,  4G077FE17 ,  4G077FG13 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• フッ化物結晶及びフッ化物結晶レンズの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-030184   出願人：キヤノン株式会社
• 結晶製造方法及び製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-082658   出願人：キヤノン株式会社
• ダイヤモンド膜の研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-130183   出願人：キヤノン株式会社