特許
J-GLOBAL ID：200903023462378098
試料の表面処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-249646
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077085
出願日： 1999年09月03日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】半導体素子の高速化の要求に応えるために、有機低誘電率材料にエッチング等の処理を施す際、効率良く加工寸法が処理を行うために、(CH3)2O、(NH2)COもしくはCH3NH2ガスでエッチング処理を行う試料の表面処理方法を提供することにある。【解決手段】プラズマエッチングによる微細パタンの加工を行うための試料の表面処理装置であって、真空容器104中に設けられ、表面処理される試料107を載置する試料台108と、プラズマの生成用の処理ガスを前記真空容器中に連続的に供給する処理ガス供給手段100と、前記真空容器中にプラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記プラズマ生成とは独立に、バイアス電圧を前記試料台に印可するバイアス電源からなる装置で、前記試料台に載置された試料に対して、(CH3)2O、(NH2)COもしくはCH3NH2ガスでエッチング等の処理を効率的に施す試料の表面処理方法。
請求項（抜粋）：
プラズマ発生装置と、減圧可能なエッチング処理室と、エッチング処理室にガスを供給するガス供給装置と、プラズマ処理を施す試料を保持する試料台と、試料台上に支持された試料に高周波を印加する装置と、真空排気装置等からなるプラズマ処理装置を用いた試料の表面処理方法において、有機低誘電率膜をエッチングする際に、(CH3)2O、(NH2)COもしくはCH3NH2のうち、少なくとも1種類以上のガスを使用することを特徴とする試料の表面処理方法。
Fターム (6件)：
5F004AA05
, 5F004BA14
, 5F004BB11
, 5F004DA00
, 5F004DB23
, 5F004EB03
