特許
J-GLOBAL ID:200903023469233184
原子力プラント構造物の表面処理方法および原子力プラント
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-023282
公開番号(公開出願番号):特開2001-124891
出願日: 2000年01月27日
公開日(公表日): 2001年05月11日
要約:
【要約】【課題】本発明の目的は、原子力プラントにおいて、水素注入の有無にかかわらず原子力プラント構造物の腐食電位を低下できる原子力プラント構造物の表面処理方法及び原子力プラントを提供することである。【解決手段】原子炉炉水と接触する原子力プラント構造物の炉水側の表面に、電気絶縁物を含む無電解メッキ液を接触させる。この電気絶縁物とは、原子力プラント構造物に対して約10の5乗倍以上大きな電気抵抗を有する物質を言う。
請求項(抜粋):
原子炉炉水と接触する原子力プラント構造物の炉水側の表面に、電気絶縁物及び格子内酸素イオン拡散性を有する酸化物の少なくとも一方を含む無電解メッキ液を接触させることを特徴とする原子力プラント構造物の表面処理方法。
IPC (3件):
G21D 3/08 GDB
, G21D 1/00
, G21F 9/28 525
FI (4件):
G21D 3/08 GDB G
, G21F 9/28 525 A
, G21D 1/00 X
, G21D 1/00 W
引用特許: