特許

J-GLOBAL ID：200903023492602251

固体撮像装置

発明者： 石渡 宏明 ,  山下 浩史 ,  山口 鉄也 ,  野崎 秀俊 ,  井原 久典 ,  田中 長孝 ,  江木 雄一郎 ,  綾部 昌之 ,  遠藤 幸雄 ,  真鍋 宗平
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-381928
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188367
出願日： 2001年12月14日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】 熱雑音と暗電流雑音の発生しにくく、再生画面のS/Nが劣化しにくい固体撮像装置を提供する。【解決手段】 第1導電型の半導体基板の表面から離れて基板の内部に第2導電型の第1半導体領域を設ける。第1半導体領域の上方に離れて基板の表面を含む基板に第2導電型の第2半導体領域を設ける。第2半導体領域の上に絶縁膜を設け、絶縁膜の上に導電体を設ける。下面が第1半導体領域の上面と接し側面が第2半導体領域の側面と接するように、導電体との距離が絶縁膜の膜厚以上であるように、基板の表面を含むように基板に第1導電型の第3半導体領域を設ける。側面が第2半導体領域の側面と接し、導電体との距離は絶縁膜の膜厚と等しいように、基板の表面を含むように基板に第2導電型の第4半導体領域を設ける。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、前記基板の表面から離れて、前記基板の内部に設けられた第2導電型の第1半導体領域と、前記基板の表面を含む前記基板に設けられ、前記第1の半導体領域の上方に離れて設けられた前記第2導電型の第2半導体領域と、前記第2半導体領域の上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の上に設けられた導電体と、前記基板の前記表面を含む前記基板に設けられ、下面が前記第1半導体領域の上面と接し、側面が前記第2半導体領域の側面と接し、前記導電体との距離は前記絶縁膜の膜厚以上である前記第1導電型の第3半導体領域と、前記基板の前記表面を含む前記基板に設けられ、側面が前記第2半導体領域の側面と接し、前記導電体との距離は前記絶縁膜の膜厚と等しい前記第2導電型の第4半導体領域とを有することを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A

Fターム (24件)：

4M118AA02 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA32 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118GD04 ,  5C024CX32 ,  5C024CY47 ,  5C024EX43 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA04 ,  5F049NA05 ,  5F049NB05 ,  5F049RA02 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ20 ,  5F049UA13 ,  5F049UA20

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-070892   出願人：株式会社東芝
• 固体撮像装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-258713   出願人：株式会社東芝
• 電荷転送装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-342647   出願人：日本電気株式会社
• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-087380   出願人：株式会社東芝
• CMOSイメ-ジセンサ-及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-053234   出願人：現代電子産業株式会社