両面研磨装置及びスラリー供給方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：塚原孝和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-088016
公開番号（公開出願番号）：特開平11-262862
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【課題】上定盤及び下定盤の回転時にスラリーを下定盤全体に均等に行き渡るようにして、ワークの研磨精度の高精度化を図った両面研磨装置及びスラリー供給方法を提供する。【解決手段】サンギア1と下定盤2とインターナルギア3と上定盤4と下定盤2にスラリーを供給するスラリー供給機構5とを具備する。具体的には、下定盤2の中心孔20を上定盤4の中心孔40よりも小さく設定して、下定盤2の研磨面21の内側にスラリー受け面22を形成している。そして、スラリー供給機構5を、上定盤4に取り付けられ且つスラリー受け面22に向くスラリー供給管50と、上定盤4の径方向に略等間隔で穿設された複数のスラリー供給孔51〜54と、チューブ56等を介してスラリーをスラリー供給管50及びスラリー供給孔51〜54に供給するスラリー供給源59とで構成した。

請求項（抜粋）：

サンギアと、上記サンギアの外側に同心上に配され且つワークの下面を研磨するための研磨面を有するドーナッツ状の下定盤と、上記下定盤の外側に同心上に配されたインターナルギアと、上記下定盤と対向するように配され且つ上記サンギアとインターナルギアとに噛合されたキャリアに保持された上記ワークの上面を研磨するための研磨面を有する上定盤と、上記下定盤に向けてスラリーを供給するスラリー供給機構とを具備する両面研磨装置において、上記下定盤の中心孔を上定盤の中心孔よりも小さく設定して、上記下定盤の研磨面の内側にスラリー受け面を形成し、上記スラリー供給機構を、上記上定盤の中心孔内に配され且つその下端開口が上記下定盤のスラリー受け面に向くスラリー供給管と、上記上定盤を上下方向に貫通し上記スラリー供給管と共に上定盤の径方向に略等間隔で配設された複数のスラリー供給孔と、これら複数のスラリー供給孔とスラリー供給管とにスラリーを供給するスラリー供給源とで構成した、ことを特徴とする両面研磨装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭61-230865
半導体ウェーハの研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-115237 出願人：コマツ電子金属株式会社
研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-160682 出願人：ソニー株式会社

全件表示

前のページに戻る