特許
J-GLOBAL ID:200903048652185736

リフトオフ法用ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 隆司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-169299
公開番号(公開出願番号):特開平8-069111
出願日: 1995年06月12日
公開日(公表日): 1996年03月12日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】リフトオフ法により加工精度及び信頼性の高いレジストパターンを形成し得るポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法を提供する。【構成】(1)アルカリ可溶性樹脂として式(1)で示される繰り返し単位を有する、ノボラック樹脂、(2)溶解促進剤として式(2)又は(3)で示されるフェノール性水酸基を有しかつベンゼン環の数が2〜5個である低核体、(3)感光剤として式(4)又は(5)で示される1,2-ナフトキノンジアジドスルホニル基を有する化合物を配合したポジ型レジスト組成物を用いて、露光・現像し、所定形状のレジストパターンを形成。(但し、式中jは1又は2、k、m、pはそれぞれ0〜3、nは1〜4、qは1〜3、rは2又は3の整数で、m+p+n≦6、k+q≦5である。)
請求項(抜粋):
(1)アルカリ可溶性樹脂として下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算重量平均分子量が2000〜10000であるノボラック樹脂【化1】(但し、式中mは0〜3の整数である。)(2)溶解促進剤としてフェノール性水酸基を有し、かつベンゼン環の数が2〜5個である下記一般式(2)又は(3)で示される低核体【化2】(但し、式中jは1又は2、k、m、pはそれぞれ0〜3、nは1〜4、qは1〜3、rは2又は3の整数で、m+p+n≦6、k+q≦5である。)(3)感光剤として下記一般式(4)又は(5)で示される1,2-ナフトキノンジアジドスルホニル基を分子中に有し、エステル化率65%以上の化合物【化3】を配合してなることを特徴とするリフトオフ法用ポジ型レジスト組成物。
IPC (6件):
G03F 7/023 511 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/26 513 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3205
FI (2件):
H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/88 G
引用特許:
審査官引用 (11件)
  • ポジ型感放射線性樹脂組成物
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-216991   出願人:日本合成ゴム株式会社
  • 特開平4-299348
  • 特開平4-011260
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