微細加工方法および微細加工装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-302695
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145108
出願日： 1997年11月05日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】高アスペクト比を有する微細な穴加工を行うことができ、かつ、穴内壁に酸化膜を形成する工程を同時に達成することができる微細加工方法および微細加工装置を提供する。【解決手段】装置構造として、加工槽1と過酸化水素水4とレーザ光源10とを備え、シリコン基板2を過酸化水素水4の中に浸漬した状態で、レーザ光Lbを被加工物に照射する。すると、過酸化水素水4中でのレーザ光Lbの照射により過酸化水素水4の気化現象により加工箇所から気泡が発生し、加工先端部の溶融物を、気泡に付着させる形で加工穴の外部に排出させるとともに、気泡の中にガスにて加工穴の側面に酸化膜が形成されていく。このようにして、穴が形成されるとともに当該穴の内壁に酸化膜が形成される。

請求項（抜粋）：

被加工物を、酸化作用を有するレーザ光透過性液体の中に浸漬した状態で、レーザ光を前記被加工物に照射して穴加工を行うと同時に当該穴の内壁に酸化膜を形成するようにしたことを特徴とする微細加工方法。

IPC (4件)：

H01L 21/306 , B23K 26/00 330 , H01L 21/3205 , H01L 21/316

FI (5件)：

H01L 21/306 B , B23K 26/00 330 , H01L 21/316 U , H01L 21/306 J , H01L 21/88 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

シリコン基板ビアホール形成方法およびマルチチツプモジユール製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-305103 出願人：富士通株式会社
特開昭61-198685
特開昭61-198685

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