特許
J-GLOBAL ID:200903023593501561

アクティブマトリクス型表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 晴敏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-152711
公開番号(公開出願番号):特開平7-333655
出願日: 1994年06月10日
公開日(公表日): 1995年12月22日
要約:
【要約】【目的】 アクティブマトリクス型表示装置に集積形成されるスイッチング用薄膜トランジスタの遮光性を改善する。【構成】 アクティブマトリクス型表示装置は駆動基板と対向基板と両者の間に保持された電気光学物質とを備えたパネル構造を有する。駆動基板には画素電極1と薄膜トランジスタTFTが集積形成されている。TFTは、チャネル領域とその一端側に位置するソース領域Sと、その他端側に位置し且つ画素電極1に接続するドレイン領域Dと、金属膜からなりソース領域Sに接続する配線電極と、チャネル領域に重なるゲート電極とを備えている。さらに配線電極と同層の金属膜からなる遮光パタン2が形成されており、チャネル領域とソース領域Sの接合部及びチャネル領域とドレイン領域Dの接合部の少なくとも一方を被覆する。加えてブラックマスク3が形成されており、画素電極1に整合する開口部4とTFTを外光から遮閉する遮閉部5とを有している。個々のTFTはソース領域S及びドレイン領域Dが周囲の開口部4から最も遠く離間する様に最適配置されている。
請求項(抜粋):
駆動基板と対向基板と両者の間に保持された電気光学物質とを備えたパネル構造を有し、該駆動基板には画素電極とスイッチング用の薄膜トランジスタが集積形成されている一方該対向基板には透明な対向電極が形成されているアクティブマトリクス型表示装置であって、前記薄膜トランジスタは、チャネル領域と、その一端側に位置するソース領域と、その他端側に位置し且つ画素電極に接続するドレイン領域と、金属膜からなり該ソース領域に接続する配線電極と、該チャネル領域に重なるゲート電極と、該配線電極と同層の金属膜からなりチャネル領域とソース領域の接合部及びチャネル領域とドレイン領域の接合部の少なくとも一方を被覆する遮光パタンとを有する事を特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
IPC (3件):
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1335 500 ,  H01L 29/786
FI (2件):
H01L 29/78 311 N ,  H01L 29/78 311 S
引用特許:
審査官引用 (18件)
  • 特開昭63-208896
  • 特開平1-222227
  • 特開平1-267616
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