特許
J-GLOBAL ID：200903023594302490

磁気トンネル接合センサを使用するサーマル・アスペリティ低減回路を有するディスク・ドライブ

発明者：
ギル、ハーダヤル、シン

ギル、ハーダヤル、シン について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (1件)： 坂口 博 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-581469
公開番号（公開出願番号）：特表2002-529926
出願日： 1999年11月01日
公開日（公表日）： 2002年09月10日
要約：
【要約】【課題】 第1シールドと第2シールドの間の2つの磁気トンネル接合(MTJ)スタックと2つのMTJスタックの間に配置される共通電極とを有するMTJセンサを有するディスク・ドライブ・システムを提供すること。【解決手段】 第1センス電流が、第1シールドおよび共通電極によって第1MTJスタックに供給され、第2センス電流が、第2シールドおよび共通電極によって第2MTJスタックに供給される。第1および第2のMTJスタックのピン層の磁化方向は、ABSに垂直で互いに逆平行に固定され、その結果、ディスクからの外部磁界に起因して第1MTJスタックによって生成される磁気抵抗信号が、同一の外部磁界に起因して第2MTJスタックによって生成される磁気抵抗信号に関して位相が180°異なる。2つのMTJスタックの両端に生じる電圧(サーマル・アスペリティの存在に起因する電圧およびデータ磁界の存在に起因する電圧)が、サーマル・アスペリティ信号の実質的な除去のために差動増幅器の入力に印加される。
請求項（抜粋）：
磁気トンネル接合(MTJ)センサであって、 第1MTJ(MTJ1)スタックであって、 強磁性のフリー層と、 強磁性のピン層と、 前記フリー層と前記ピン層との間に配置されるトンネル・バリア層と、 前記ピン層の磁化をピン止めするために前記強磁性のピン層に接触する反強磁性(AFM1)層と を含む第1MTJ(MTJ1)スタックと、 第2MTJ(MTJ2)スタックであって、 強磁性のフリー層と、 強磁性のピン層と、 前記フリー層と前記ピン層との間に配置されるトンネル・バリア層と、 前記ピン層の磁化をピン止めするために前記強磁性のピン層に接触する反強磁性(AFM2)層と を含む第2MTJ(MTJ2)スタックと、 前記MTJ1スタックと前記MTJ2スタックとの間に配置される共通電極と、 前記MTJ1スタックに第1センス電流を供給するために前記MTJ1スタックに接触する第1シールド(S1)と、 前記MTJ2スタックに第2センス電流を供給するために前記MTJ2スタックに接触する第2シールド(S2)と を含む磁気トンネル接合(MTJ)センサ。
IPC (6件)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30
FI (7件)：
H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 A ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  G01R 33/06 R
Fターム (16件)：
2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA09 ,  5D034BA15 ,  5D034BB02 ,  5D034BB08 ,  5D034BB14 ,  5D034CA02 ,  5D034CA08 ,  5E049BA06 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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