特許
J-GLOBAL ID:200903023609521053

第一基板上に形成された微細構造部の最終基板への選択的なトランスファープロセス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志賀 正武 (外9名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-343444
公開番号(公開出願番号):特開平11-317577
出願日: 1998年12月02日
公開日(公表日): 1999年11月16日
要約:
【要約】【課題】 第一基板から最終基板へと微細構造部をトランスファーする効率的なプロセスを提供する。【解決手段】 第一基板10上に形成された少なくとも一つの微細構造部12を最終基板32上へとトランスファーするトランスファープロセスであって:微細構造部12に対向する中間基板24に対して第一基板10を接着するステップと;前記微細構造部を備えた前記第一基板の少なくとも一つの選択領域16上に適切な処理により接着材料の層30を形成するステップと;最終基板32に対して選択領域16を接触させるステップと;選択領域16に対応するエリア内で初期接着力を接着力を増大させるために、このエリア内で接着材料の層30を処理するステップと;選択領域16と中間基板24との間の接着部を破壊するステップと;を連続して備えることを特徴とする。
請求項(抜粋):
第一基板と称される基板(10)上に形成された少なくとも一つの微細構造部(12)を、最終基板と称される他の基板(32)上へとトランスファーするトランスファープロセスであって、a)前記第一基板(10)と中間基板と称される基板(24)との間を、初期接着力を有して取り外し可能に接着するために第一基板を準備するステップと、b)前記微細構造部に対向する前記中間基板(24)に対して前記第一基板(10)を接着するステップと、c)前記微細構造部を備えた前記第一基板の少なくとも一つの選択領域(16)上に、および/または、前記最終基板の収容領域(16’)上に、適切な処理により接着力を増大させることができる接着能力を有する接着材料の層(30)を形成するステップと、d)前記最終基板上の前記収容領域に対して前記第一基板の前記選択領域(16)を接触させるステップと、e)前記微細構造部を備えた前記第一基板の前記選択領域(16)に対応するエリア内で前記初期接着力を超える値まで接着力を増大させるために、また前記最終基板(32)上の前記収容領域(16’)上に対して前記第一基板の前記選択領域(16)を固定するために、前記エリア内で前記接着材料の前記層を処理するステップと、f)前記微細構造部を備えた前記第一基板の前記選択領域(16)と前記中間基板(24)との間の接着部を破壊するステップと、を連続して備えることを特徴とするトランスファープロセス。
IPC (2件):
H05K 3/20 ,  H05K 3/32
FI (2件):
H05K 3/20 A ,  H05K 3/32 Z
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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