特許

J-GLOBAL ID：200903023619909912

フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ-ンの形成方法、及び半導体素子

発明者： 李 根守 ,  鄭 載昌 ,  鄭 ▲みん▼鎬 ,  白 基鎬
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-371158
公開番号（公開出願番号）：特開2000-206683
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 ネガティブ型フォトレジスト組成物の製造に適するフォトレジスト架橋剤、およびフォトレジスト組成物を提供する。さらに、このフォトレジスト組成物を利用したネガティブフォトレジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】 グルタルジアルデヒド、1,4-シクロヘキサンジカルボキシアルデヒド等、2以上のアルデヒド基を有するフォトレジスト架橋剤を含むフォトレジスト組成物を用いて、微細なネガティブフォトレジストパターンを形成する。フォトレジスト組成物は、例えば、(i)2以上のアルデヒド基を有するフォトレジスト架橋剤と、(ii)水酸基を有する脂肪族環(alicyclic)化合物を含むフォトレジスト共重合体と、(iii)光酸発生剤と、(iv)有機溶媒と、から得られる。

請求項（抜粋）：

2以上のアルデヒド基を有することを特徴とするフォトレジスト架橋剤。

IPC (4件)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 感光剤およびこれを含む感光性組成物並びにパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-130104   出願人：東洋合成工業株式会社
• レジスト材料およびパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-331746   出願人：富士通株式会社
• 特開昭56-117241