特許

J-GLOBAL ID：200903023635767443

TFTアレイの製造方法

発明者： 中嶋 健 ,  小林 和弘
出願人/特許権者： 株式会社アドバンスト・ディスプレイ
代理人 (1件)： 朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-241264
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057338
出願日： 2000年08月09日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】 ホトマスクのハーフトーン部において、ホトレジストの膜厚の均一性を向上させる。【解決手段】 ホトマスクのハーフトーン部を透過部と遮光部とを交互に設けた透過/遮断パターンとして構成し、両端部に位置する透過部の面積を、その他の透過部の面積よりも大きくした。

請求項（抜粋）：

被エッチング膜上にホトレジストを塗布する工程と、該ホトレジストをホトマスクを用いて露光、現像することにより所定のパターンを有するホトレジストパターンを形成する工程と、該ホトレジストパターンを用いて被エッチング膜のエッチングを行う工程と、該ホトレジストパターンの一部を除去する工程と、該一部を除去したホトレジストパターンを用いて被エッチング膜のエッチングを行なう工程とを有するTFTアレイの製造方法であって、前記ホトマスクが、前記露光時の露光機の照射光を、前記ホトレジストパターンの一部を除去する工程でレジストパターンが残存する照射光光量まで遮断する領域A*と、前記露光時の露光機の照射光を、前記現像時にホトレジストが除去できる照射光光量まで透過させる領域C*と、露光機の解像能力以下の寸法である透過/遮断パターンを有することにより、前記露光時の照射光光量が前記領域A*と前記領域C*の中間となる領域B*と、を備え、前記透過/遮断パターンが、所定の長さおよび幅を有する矩形の透過部を、長さ方向に少なくとも3つ以上配置したはしご形状であり、前記透過パターンの寸法精度が±0.1μm以下であることを特徴とするTFTアレイの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (8件)：

G03F 1/08 A ,  H01L 29/78 627 C ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 29/78 612 D ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 617 L

Fターム (68件)：

2H092HA04 ,  2H092HA06 ,  2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JA31 ,  2H092JB64 ,  2H092JB68 ,  2H092KA05 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA15 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA27 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA09 ,  2H095BA05 ,  2H095BA12 ,  2H095BB02 ,  2H095BC04 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE41 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF03 ,  5F110FF21 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK15 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK26 ,  5F110HK27 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 液晶表示装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-283194   出願人：田中栄
• 光近接効果補正方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-339636   出願人：株式会社東芝
• フォトマスクの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-226382   出願人：シャープ株式会社
• 薄膜のパターニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-318396   出願人：シャープ株式会社