特許

J-GLOBAL ID：200903023639775858

化合物超微粒子の製造方法

発明者： 森 博太郎 ,  保田 英洋
出願人/特許権者： 大阪大学長
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-174650
公開番号（公開出願番号）：特開平7-011309
出願日： 1993年06月23日
公開日（公表日）： 1995年01月13日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 常温以下で粒径数nmの超微粒子において特徴的に生じる自発的合金化の現象を利用して粒径と組成とを精確に制御した化合物超微粒子特にCdSe,AuZn,AuSb2 ,InSb,GaAs,AlSb,ZnSe,AuPb2 ,Au2 Pb,CdS,SiNi,Si2 Ni等の光触媒、化合物半導体、超伝導材料を効率的に得る化合物超微粒子の製造方法。【構成】 第1の元素を真空蒸着もしくはスパッタリング、CVD法、電子ビーム蒸着の何れかにより基板材料1表面上に臨界サイズ以下の2〜30nmの粒径に堆積させた後、第2以降の元素を2〜50nmのサイズに堆積させ、反応温度を32°C以下ないし-173 °C、真空条件10-11 〜10-1Torrの真空度で基板1上で反応させ、第1の元素と第2以降の元素とが自発的合金化により化合物4を生成する範囲内の堆積速度で適当時間、所要面積密度で順次堆積させることを特徴とする化合物超微粒子の製造方法。

請求項（抜粋）：

有機物、および無機物から選択された基板材料の表面上に2以上の元素からなる超微粒子化合物を製造する方法において、第1の元素を真空蒸着もしくはスパッタリング、CVD法、電子ビーム蒸着の何れかにより当該基板材料表面上に臨界サイズ以下の2〜50nmの粒径に堆積させた後、第2以降の元素を2〜50nmのサイズに堆積させ、反応温度を32°C以下ないし-173 °C、真空条件10-11 〜10-1Torrの真空度で基板上で反応させ、第1の元素と第2以降の元素とが自発的合金化により化合物を生成する範囲内の堆積速度で適当時間、所要面積密度で順次堆積させることを特徴とする化合物超微粒子の製造方法。

IPC (2件)：

B22F 9/12 ,  B01J 19/08