特許
J-GLOBAL ID：200903023677075320
レジスト膜形成方法およびレジスト膜形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-150898
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324255
出願日： 2006年05月31日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：
【課題】微細配線形成を可能とする低コストで省資源なレジスト膜形成方法を提供する。【解決手段】光触媒膜12を形成した支持基板11を準備し、光触媒膜の一部に光14を照射し、その光照射領域を親水性に変化させることにより、光触媒膜12の膜表面に所定パターンの親水領域15を形成し、光触媒膜12上にレジストを塗布して撥水領域15a上のレジストを選択的に親水領域15上に集合させることにより、所定パターンのレジスト膜16を形成する。また、レジスト膜被転写用基板27に支持基板11上のレジスト膜16を密着させ、その支持基板11を除去して基板27にレジスト膜16を転写する。親水領域15を再び撥水領域に復元することにより、支持基板11を繰り返し再利用する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光触媒を含む表面(光触媒表面)を所定のパターンに対応して選択露光する工程と、
上記光触媒表面にレジストを塗布する工程とを含み、
上記工程後の光触媒表面における、非露光領域を撥水性に維持し、露光領域を親水性に変えて当該露光領域に上記塗布したレジストを集合させて上記パターンに対応したレジスト膜を形成する、ことを特徴とするレジスト膜形成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5E343CC61
, 5E343DD32
, 5E343EE32
, 5E343ER11
, 5E343ER32
, 5E343GG11
