特許
J-GLOBAL ID：200903023690087761

電界効果型トランジスタ

発明者：
岩崎 達哉

岩崎 達哉 について

, 
板垣 奈穂

板垣 奈穂 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (17件)： 岡部 正夫 ,  加藤 伸晃 ,  岡部 讓 ,  臼井 伸一 ,  藤野 育男 ,  越智 隆夫 ,  本宮 照久 ,  高梨 憲通 ,  朝日 伸光 ,  高橋 誠一郎 ,  吉澤 弘司 ,  松井 孝夫 ,  小林 恒夫 ,  齋藤 正巳 ,  三山 勝巳 ,  山下 穣平 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-322148
公開番号（公開出願番号）：特開2009-147069
出願日： 2007年12月13日
公開日（公表日）： 2009年07月02日
要約：
【課題】少ない元素数から構成されるアモルファス酸化物を用い、大気中保管などの環境安定性に優れ、かつ可視光に対する感度が小さい薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】本発明は、基板上にチャンネル層、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極が少なくとも形成されてなる電界効果型トランジスタであって、該チャンネル層は、少なくともInとMgとを含むアモルファス酸化物材料より構成され、該アモルファス酸化物材料の元素比率Mg/(In+Mg)は0.1以上0.48以下であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にチャンネル層、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極が少なくとも形成されてなる電界効果型トランジスタであって、 該チャンネル層は、少なくともInとMgとを含むアモルファス酸化物材料より構成され、該アモルファス酸化物材料の元素比率Mg/(In+Mg)は0.1以上0.48以下であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (1件)：
H01L 29/786
FI (1件)：
H01L29/78 618B
Fターム (27件)：
5F110AA05 ,  5F110AA14 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110NN71
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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