特許

J-GLOBAL ID：200903075563649785

酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法

発明者： 岩崎 達哉 ,  雲見 日出也
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (3件)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-074630
公開番号（公開出願番号）：特開2007-250983
出願日： 2006年03月17日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】トランジスタの特性(Id-Vg特性)にばらつきが生じる場合があった。【解決手段】酸化物膜を半導体層11として有する電界効果型トランジスタであって、酸化物膜の中に、水素又は重水素が添加されたソース部位及びドレイン部位を有している。または、酸化物膜の中に、チャンネル部位18とソース部位16とドレイン部位17とを有し、ソース部位とドレイン部位との水素又は重水素の濃度がチャンネル部位の水素又は重水素の濃度よりも大きい。ソース部位とドレイン部位が、ゲート絶縁層を介して配されるゲート電極と自己整合して配され、且つ、コプレーナ構造からなる構成をとることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化物膜を半導体層として有する電界効果型トランジスタであって、 前記酸化物膜の中に、水素又は重水素が添加されたソース部位及びドレイン部位を有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/26 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50

FI (6件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/26 ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616L ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A

Fターム (61件)：

2H092JA23 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092MA27 ,  2H092MA41 ,  2H092NA21 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC31 ,  3K107CC33 ,  3K107EE03 ,  3K107GG00 ,  3K107HH05 ,  5F110AA03 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG52 ,  5F110GG54 ,  5F110GG55 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ16 ,  5F110HJ17 ,  5F110HJ18 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜トランジスタ及びその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-038425   出願人：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
• 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-068270   出願人：新技術事業団
• 薄膜トランジスタ、及びそれを備えた表示素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-379779   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-245939   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所