耐湿性絶縁膜の形成方法及び層間絶縁膜の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石島茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-165310
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326389
出願日： 1996年06月05日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】比誘電率が低く、かつ、簡易な工程で耐湿性に優れた絶縁膜が得られる耐湿性絶縁膜の形成方法及び層間絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】真空中で原料モノマーA、Bを蒸発させ、基板4上で蒸着重合させてポリ尿素膜を形成した後、このポリ尿素膜の表面に、比誘電率が大きくならない程度の膜厚、例えば100nm以下の無機絶縁性薄膜を真空蒸着により形成する。ポリ尿素膜を形成するための原料モノマーA、Bとしては、4,4′-ジアミノジフェニルメタン(MDA)等のジアミンと、4,4′-ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)等のジイソシアナートとを用いる。無機絶縁性薄膜を形成するための無機絶縁物としては、SiO2 、SiN又はSiONを含むものを用いる。

請求項（抜粋）：

真空中で原料モノマーを蒸発させ、基体上で蒸着重合させて高分子膜を形成する工程と、該高分子膜に密着する無機絶縁性薄膜を形成する工程とを有することを特徴とする耐湿性絶縁膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/312 , C08G 18/08 NGX , C08G 18/32 NDT , H01L 21/768 , H01L 21/31 , C23C 16/30

FI (6件)：

H01L 21/312 N , C08G 18/08 NGX , C08G 18/32 NDT , C23C 16/30 , H01L 21/90 K , H01L 21/95

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開昭61-274367
合成樹脂被膜の形成装置及び形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-338101 出願人：松下電器産業株式会社, 日本真空技術株式会社
特開平3-013561

全件表示

審査官引用 (4件)

特開昭61-274367
合成樹脂被膜の形成装置及び形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-338101 出願人：松下電器産業株式会社, 日本真空技術株式会社
特開平3-013561

全件表示

前のページに戻る