不揮発性半導体メモリ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野口繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-197458
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046067
出願日： 1994年07月29日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】フローティングゲート電極を備えたメモリ装置を1層ポリシリコン構造により実現する。【構成】メモリトランジスタ30はドレイン34とソース36の間のチャネル領域上にゲート酸化膜を介してポリシリコン層によるフローティングゲート電極38が形成されて構成されている。基板32にはフローティングゲート電極38と容量カップリングにより結合するコントロールゲート電極40がN型拡散層により形成されている。フローティングゲート電極38はソース36上に延びてその重なり部分にはトンネル酸化膜42が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された拡散層によるメモリトランジスタのソース・ドレイン間のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介してフローティングゲート電極が形成され、前記半導体基板にはフローティングゲート電極と容量カップリングにより結合した拡散領域によるコントロールゲート電極が形成され、かつ、フローティングゲート電極の一部がメモリトランジスタのソースとトンネル現象可能な薄い絶縁膜を介して結合されて、電気的に消去及びプログラム可能とした不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (14件)

電気的にプログラム可能な読出し専用メモリーセルを備えたモノリシック集積回路構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-311870 出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクスソチエタレスポンサビリタリミテ
特開昭57-160168
特開平1-296661

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