特許

J-GLOBAL ID：200903023782651590

窒化ガリウム系化合物半導体積層物およびその製造方法

発明者： 佐藤 壽朗 ,  三木 久幸
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (4件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-089121
公開番号（公開出願番号）：特開2006-310819
出願日： 2006年03月28日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：

【課題】駆動電圧が低下され、かつ、良好な発光出力が得られる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造に有用な窒化ガリウム系化合物半導体積層物を提供すること。【解決手段】基板上にn型層、発光層およびp型層を有し、該発光層が交互に井戸層と障壁層で積層された多重量子構造であり、かつ、該発光層がn型層とp型層で挟まれて配置された窒化ガリウム系化合物半導体積層物において、該多重量子構造を構成する井戸層は厚さが不均一な井戸層と厚さが均一な井戸層とからなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体積層物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板上にn型層、発光層およびp型層を有し、該発光層が交互に井戸層と障壁層で積層された多重量子構造であり、かつ、該発光層がn型層とp型層で挟まれて配置された窒化ガリウム系化合物半導体積層物において、該多重量子構造を構成する井戸層は厚さが不均一な井戸層と厚さが均一な井戸層とからなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体積層物。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01L21/205

Fターム (17件)：

5F041AA03 ,  5F041AA41 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AD11 ,  5F045AF05 ,  5F045BB16 ,  5F045DA55

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 量子ドット形成方法及び量子ドット構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-233442   出願人：理化学研究所, 田中悟
• GaN系半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-155838   出願人：三菱電線工業株式会社, 理化学研究所, 田中悟
• 半導体素子、半導体発光素子およびその製造方法ならびに量子箱の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-236669   出願人：三洋電機株式会社
• 米国特許出願公開US2003/0160229A1号明細書