特許
J-GLOBAL ID：200903075012669807
量子ドット形成方法及び量子ドット構造体
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
平木 祐輔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-233442
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079501
出願日： 1996年09月03日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：
【要約】【課題】 通常の製法では表面のエネルギー平衡条件によって量子ドットを形成することができない材料系においても量子ドットの形成を可能とする。【解決手段】 量子ドットを形成する前に半導体層表面に表面状態を変化させるサーファクタントを作用させる。図2の例では、まず基板31の表面にAlNバッファー層32を形成し(a)、その上にAlGaNクラッド層33を形成する(b)。次に、テトラエチルシラン(サーファクタント)をクラッド層33の表面に供給する(c)。続いて、AlGaNクラッド層33の表面にTMG及びNH3 ガスを短時間供給して、GaN量子ドット34を成長させる(d)。最後に、AlGaNキャップ層を形成してGaN量子ドット34をキャップ層中に埋設する(e)。
請求項（抜粋）：
第1の化合物半導体層上に第2の化合物半導体の量子ドットを形成する方法において、前記第1の化合物半導体層上に前記第2の化合物半導体を直接成長させると膜が形成されるとき、前記第1の化合物半導体層にその表面状態を変化させる物質を作用させてから前記第2の化合物半導体を成長させることを特徴とする量子ドット形成方法。
IPC (4件)：
H01L 29/06
, H01L 21/20
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 29/06
, H01L 21/20
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
