特許
J-GLOBAL ID：200903045373360995
GaN系半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-155838
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354839
出願日： 1998年06月04日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 GaN系発光素子のための量子ドットの最適な態様を示し、より高効率なGaN系発光素子を提供すること。【解決手段】 発光素子中に、下記の多重量子ドット構造3を発光に係る部分として設ける。GaN系材料からなる結晶層Aの上面をベース面とし、該ベース面上に、GaN系材料からなる量子ドットd1が分散して形成され、さらにGaN系材料からなる結晶層(キャップ層)B1が前記量子ドットを内部に埋め込むように形成され、キャップ層の上面を新たにベース面とする繰り返しの態様にて、結晶層A上に、量子ドットとキャップ層との組が、(d1、B1)〜(d5、B5)のように2段以上積層されてなるGaN系の多重量子ドット構造。ただし、各段のドット材料のバンドギャップは、その段のキャップ材料およびそのベース面となる結晶層の材料のバンドギャップよりも小さいものとする。
請求項（抜粋）：
下記(i)のGaN系の多重量子ドット構造を、発光に係る部分として有することを特徴とするGaN系半導体発光素子。(i)GaN系材料からなる結晶層(A)の上面をベース面とし、該ベース面上に、GaN系材料からなる量子ドットが分散して形成されさらにGaN系材料からなる結晶層(B)が前記量子ドットを内部に埋め込むように形成され、結晶層(B)の上面を新たにベース面とする繰り返しの態様にて、量子ドットの形成とこれを埋め込む結晶層(B)の形成とが繰り返され、これによって結晶層(A)上には、量子ドットと結晶層(B)との組を1段としてこれが2段以上積層されており、かつ、各段の量子ドットの材料のバンドギャップは、そのベース面となる結晶層の材料およびそれを埋め込む結晶層(B)の材料の各々のバンドギャップよりも小さいものであるGaN系の多重量子ドット構造。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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