特許
J-GLOBAL ID：200903023817319004

光半導体装置用リードフレームおよびこれを用いた光半導体装置、並びにこれらの製造方法

発明者：
山田 智行

山田 智行 について

, 
二神 友洋

二神 友洋 について

, 
河野 恵志郎

河野 恵志郎 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 中島 司朗 ,  松村 修治 ,  小林 国人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-273810
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091818
出願日： 2006年10月05日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：
【課題】封止樹脂にシリコーン樹脂を用いる場合であっても、リードフレーム上に設けたメッキ層の変色・変性を防止し、発光素子の発光の反射率の低下を防止することにより、長期にわたり良好な発光輝度を発揮させることが可能な光半導体装置用リードフレームとこれを用いた光半導体装置、並びにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】塩化白金酸が混入したシリコーン樹脂からなる封止樹脂14の内部において、リードフレーム10の純Agメッキ層21がシリコーン樹脂と直接接触するのを回避するべく、前記純Agメッキ層21の表面にAg-Au合金メッキ層22が形成された構成とする。これにより、シリコーン樹脂の硬化触媒由来のAgClの発生を抑制し、Agメッキ層の黒褐色化を防止する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
金属芯体と、当該金属芯体の少なくとも一部表面に形成された複数のメッキ層からなるメッキ積層体とを備える光半導体装置用リードフレームであって、 前記メッキ積層体には、純Agメッキ層と、最上層として金属塩化物または金属硫化物の少なくとも何れかに対して化学耐性を有する耐性メッキ層が含まれる 光半導体装置用リードフレーム。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 N
Fターム (13件)：
5F041AA44 ,  5F041DA03 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA17 ,  5F041DA22 ,  5F041DA26 ,  5F041DA29 ,  5F041DA45 ,  5F041DA74 ,  5F041DA76 ,  5F041DB09 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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