特許
J-GLOBAL ID：200903023817765209

メモリ抵抗特性を制御する酸素含有量システムおよび方法

発明者：
シェン テン スー

シェン テン スー について

, 
フェニャン ツアン

フェニャン ツアン について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-132265
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349690
出願日： 2004年04月27日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：
【課題】 メモリ材料の抵抗特性を制御するメモリセルおよび方法を提供すること。【解決手段】 この方法は、マンガナイトを形成するステップと、酸素雰囲気中でマンガナイトをアニーリングするステップと、アニーリングするステップに応じて、マンガナイト中の酸素含有量を制御するステップと、酸素含有量に応じて、マンガナイト間の抵抗を制御するステップとを包含する。このマンガナイトは、一般式RE1-xAExMnOyを有するペロブスカイト型マンガンスオキサイドであり、ここでREは希土類イオンであり、AEはアルカリ土類イオンであり、かつxは0.1から0.5の範囲にある。マンガナイト中の酸素含有量を制御するステップは、酸素の豊富なRE1-xAExMnOy領域であって、yは3より大きい、領域を形成するステップを含む。結果として、低抵抗は、酸素の豊富なマンガナイト領域を生じる。yが3より小さい場合、高抵抗が形成される。【選択図】 図10
請求項（抜粋）：
メモリ材料の抵抗特性を制御する方法であって、該方法は、 マンガナイトを形成するステップと、 酸素雰囲気中で該マンガナイトをアニーリングするステップと、 該アニーリングするステップに応じて、該マンガナイト中の酸素含有量を制御するステップと を包含する、方法。
IPC (2件)：
H01L27/10 ,  H01L49/00
FI (2件)：
H01L27/10 451 ,  H01L49/00 Z
Fターム (11件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA21 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33
引用文献：
審査官引用 (4件)
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