レジスト現像液及びパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：丸山隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-039100
公開番号（公開出願番号）：特開2006-227174
出願日： 2005年02月16日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：

【課題】高分子集合体と高分子集合体との隙間への浸透力を弱め、十分な溶解速度を有するレジスト現像液と該レジスト現像液を使用して、低いラインエッジラフネスのパターンを形成可能としたパターン形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】ラインエッジラフネスを低減するためには、溶解速度を低下させることなく、溶剤の分子量を大きくする必要がある有機高分子への溶解速度は、ベンゼン環と、酸素の存在が大きく影響する。また、水酸基OHが存在すると逆に溶解速度が著しく低下する。また、溶解速度は、溶媒の温度によっても大きく変化する。すなわち、フェニル基、酢酸基、ケトン基、エーテル基を複数有し、かつ大きな分子量を有する溶剤を含有する現像液により、ラインエッジラフネスを低減することが可能になる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

電子ビーム等の放射線の照射により、ポリマー鎖が切断されて低分子化することにより、溶剤に対して溶解するレジスト材料の現像液において、前記現像液は、酢酸基またはケトン基、エーテル基、フェニル基を少なくとも2つ以上有し、かつ分子量が150以上であることを特徴とするレジスト現像液。

IPC (2件)：

G03F 7/32 , H01L 21/027

FI (2件)：

G03F7/32 , H01L21/30 569E

Fターム (8件)：

2H096AA25 , 2H096AA30 , 2H096BA11 , 2H096EA06 , 2H096GA03 , 2H096GA60 , 5F046LA12 , 5F046LA14

引用特許：

出願人引用 (5件)

電子線描画方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-276730 出願人：株式会社リコー
特許第3542106号公報
特許第3479236号公報

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審査官引用 (5件)

現像方法、パターン形成方法およびこれらを用いたフォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-045567 出願人：三菱電機株式会社
特開昭62-127737
特開平4-018564

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