電子線描画方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-276730
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119414
出願日： 2002年09月24日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】本発明の課題は、本発明は後方散乱の影響を抑え、レジスト層の表面が綺麗な浅い凹凸パターンを形成することができる電子線描画方法を提供することである。【解決手段】基板21上に形成されたレジスト層25の表面に電子線を照射して凹凸パターンを形成する電子線描画方法において、電子線の後方散乱を抑えるための散乱制御層27を設けるようにした。また、散乱制御層25の散乱の頻度を表す微分散乱断面積は、基板21の微分散乱断面積より小さくし、基板21の材質の散乱確率比が所定値以上の場合には散乱制御層25として樹脂を用い、散乱確率比が所定値よりも小さくなりようにした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたレジスト層の表面に電子線を照射して凹凸パターンを形成する電子線描画方法において、電子線の後方散乱を抑えるための散乱制御層を設けることを特徴とする電子線描画方法。

IPC (3件)：

H01L21/027 , G03F7/039 , G03F7/11

FI (3件)：

H01L21/30 541P , G03F7/039 601 , G03F7/11 503

Fターム (17件)：

2H025AA01 , 2H025AA03 , 2H025AB14 , 2H025AB16 , 2H025AC06 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025DA34 , 2H025DA40 , 2H025FA10 , 5D121BA05 , 5D121BB04 , 5D121BB21 , 5F056DA02 , 5F056DA08

引用特許：

審査官引用 (4件)

電子線リソグラフィー用基板材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-342794 出願人：科学技術庁金属材料技術研究所長
特開平4-029311
特開平3-138922

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