特許

J-GLOBAL ID：200903023879403435

カーボン・ナノチューブの安定な合成を促進させる方法および構造

発明者： トシハル・フルカワ ,  マーク・チャールズ・ヘイキー ,  スティーブン・ジョン・ホームズ ,  デビッド・バクラブ・ホラク ,  チャールズ・ウイリアム・コバーガー 3世 ,  ピーター・エイチ・ミッチェル ,  ラリー・アラン・ネスビット
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (3件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-353589
公開番号（公開出願番号）：特開2005-170785
出願日： 2004年12月07日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】カーボン・ナノチューブの合成方法およびカーボン・ナノチューブで形成された構造を提供すること。【解決手段】この方法は、第1基板にサポートされた複数の合成サイト上にカーボン・ナノチューブを形成するステップと、ナノチューブ合成を中断するステップと、第2基板に各カーボン・ナノチューブの自由端部を載置するステップと、この第1基板を除去するステップを含む。各カーボン・ナノチューブはこの合成サイトの1つによってキャップされ、そのサイトには成長反応物質が容易にアクセス可能になっている。再開されたナノチューブ合成中は、各カーボン・ナノチューブが伸長する際、この合成サイトへのアクセスは妨げられないままである。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

複数のカーボン・ナノチューブを、第1基板に載置された複数の合成サイト上で第1の長さにまで合成するステップと、 前記複数のカーボン・ナノチューブの前記合成を中断するステップと、 前記複数のカーボン・ナノチューブそれぞれの自由端部を第2基板からサポートするステップと、 前記複数の合成サイトを前記第1基板から分離するステップと、 前記複数の合成サイトで前記複数のカーボン・ナノチューブの前記合成を再開して、前記複数のカーボン・ナノチューブを前記第1の長さより長い第2の長さにまで伸長させるステップとを含む、カーボン・ナノチューブを量産する方法。

IPC (2件)：

C01B31/02 ,  H01J9/02

FI (2件)：

C01B31/02 101F ,  H01J9/02 B

Fターム (23件)：

4G146AA11 ,  4G146AB06 ,  4G146AD28 ,  4G146BA12 ,  4G146BA14 ,  4G146BA36 ,  4G146BA48 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC19 ,  4G146CB26 ,  4G146CB29 ,  5C127AA01 ,  5C127AA20 ,  5C127BA13 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127CC03 ,  5C127DD08 ,  5C127DD70 ,  5C127DD99 ,  5C127EE15 ,  5C127EE20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特許第6515325号
  
• 炭素ナノチューブを用いるメモリ素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-030273   出願人：三星電子株式会社
• ナノストラクチャの電気誘発性破壊のためのシステムおよび方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-554893   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション