特許
J-GLOBAL ID：200903023889549306
シリコン-ゲルマニウムゲートを持つトランジスタを得るための方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-178749
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087708
出願日： 1998年06月25日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】従来より少ない、全てが一緒に結合されうる工程を持つシリコン-ゲルマニウムゲートを持つトランジスタを得るための方法を提供する。【解決手段】この方法は、単一のウェハのリアクタにおいてゲート酸化物層(1)上にSi/Si1-X GeX /Si層(2、3、4)のスタックの堆積、およびその後無機マスク(5)を用いたゲート()のエッチングを含む。次に、ゲート(GR)は、隔離するスペーサが形成される前に、ゲルマニウムに関して非酸化性である材料中にカプセル化される。
請求項（抜粋）：
ゲート酸化層(1)が載置される、いわゆる活性領域(ZA)を含む半導体基板(SB)からSi<SB>1-x </SB>Ge<SB>x </SB>(ここで、0<x≦1)の隔離されたゲートの電界効果トランジスタを得るための方法であって、前記ゲート酸化層(1)の上に、580°C以下の温度における化学蒸着(CVD)を使って、2nm以下の厚さを持つシリコンプライマー層(2)を堆積する工程、およびこのプライマー層の上に、Si<SB>1-x </SB>Ge<SB>x </SB>から形成され、550°C以下の温度での化学蒸着(CVD)によって得られ、第2シリコン層(4)が載置される第1連続層(3)を含むスタックを堆積する工程を含む、単一のウェハリアクタ内の処理の第1の段階と、前記スタックの上に、無機材料からなるトップ層(5)を堆積する工程、前記スタックに載せる無機マスク(5)を得るように前記トップ層(5)を第1にエッチングする工程、ゲート領域(GR)を形成するように、前記マスクを使って前記スタックを第2にエッチングする工程、およびこのゲート領域の上に、ゲルマニウムに関して非酸化性である材料から形成されるカプセル化層(7)を堆積する工程を含む前記トランジスタのゲート(GR)を形成する段階と、さらに、このカプセル化されたゲートの側壁の上に、ゲルマニウムに関して非酸化性である材料から形成される隔離するサイド領域(8)を形成する工程を含む第2処理段階とを有することを特徴とするシリコン-ゲルマニウムゲートを持つトランジスタを得るための方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G
, C23C 16/22
