特許
J-GLOBAL ID：200903023889856047

積層体の製造方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
槇田 毅彦

槇田 毅彦 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-066251
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140317
出願日： 2003年03月12日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：
【課題】有機金属気相成長によって形成される積層体表面を平坦化させる。【解決手段】サファイア基板12上に、有機金属気相成長法によって、所定の高温下で、GaNチャネル層20、Al0.2Ga0.8N電子供給層22、及び、GaN層26を順次設けて構造体50を形成する構造体形成工程と、構造体を所定温度にまで冷却する冷却工程と、GaN層を除去してAl0.2Ga0.8N電子供給層を露出させる第3半導体層除去工程とを、GaNチャネル層及びAl0.2Ga0.8N電子供給層からなる積層体の製造プロセスに用いる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
熱膨張係数Aの第1半導体層の上に熱膨張係数B(但し、A>B、若しくは、A<B)の第2半導体層が積層されてなる積層体の製造方法であって、 基板上に、有機金属気相成長法によって、所定の高温度T1°C下で、前記第1半導体層、前記第2半導体層、及び、A>Bの場合にはC>B、A<Bの場合にはC<Bを満足するような熱膨張係数Cの第3半導体層を順次設けて構造体を形成する構造体形成工程と、 前記構造体を所定の温度T2°C(但し、T2<T1)にまで冷却する冷却工程と、 前記第3半導体層を除去して前記第2半導体層を露出させる第3半導体層除去工程と を含むことを特徴とする積層体の製造方法。
IPC (6件)：
H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812
FI (6件)：
H01L21/205 ,  H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 618E
Fターム (57件)：
5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045BB01 ,  5F045BB11 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA69 ,  5F045HA16 ,  5F045HA23 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GR04 ,  5F102HC01 ,  5F102HC19 ,  5F110AA26 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110EE02 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110HL02 ,  5F110QQ14 ,  5F140AA01 ,  5F140AA08 ,  5F140AC36 ,  5F140BA09 ,  5F140BB18 ,  5F140BC11 ,  5F140BC17 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BG27 ,  5F140BG37 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK26 ,  5F140BK29
引用特許：
審査官引用 (5件)
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