特許
J-GLOBAL ID：200903048971591615
半導体レ-ザおよびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-116805
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223781
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：
【要約】【課題】 安定に横モードを制御して高出力時の高次モード発振を抑制することができ、しかも熱放散性に優れた、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 リッジ形状のストライプを有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、リッジの両側の部分を、少なくとも一部が非単結晶、例えば多結晶の窒化物系III-V族化合物半導体からなる埋め込み半導体層、例えばAlGaN埋め込み層20により埋め込む。埋め込み半導体層は例えば520〜760°Cの成長温度で成長させる。
請求項（抜粋）：
リッジ形状のストライプを有する、化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、上記リッジの両側の部分が、少なくとも一部が非単結晶である化合物半導体からなる埋め込み半導体層により埋め込まれていることを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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