特許

J-GLOBAL ID：200903044872621817

化合物半導体の選択エッチング方法、窒化物系化合物半導体の選択エッチング方法、半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 河合 弘治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-332466
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164926
出願日： 1998年11月24日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 Alを含まない窒化物系化合物半導体を、下地に対してほぼ完全に選択的にエッチングすることができ、しかもエッチングの際に損傷を伴わない窒化物系化合物半導体の選択エッチング方法、この方法を用いて製造される半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 Cl2 ガスなどのハロゲンガスおよびHClガスなどのハロゲン化合物ガスのうちの少なくとも一方からなる第1のガスとH2 ガスおよびN2ガスなどの不活性ガスのうちの少なくとも一方からなる第2のガスとO2 ガスなどの酸化性ガスとの混合ガスからなるエッチングガスを用い、Alを含む窒化物系化合物半導体を下地層としてAlを含まない窒化物系化合物半導体を気相で熱化学的にエッチングする。

請求項（抜粋）：

ハロゲンガスおよびハロゲン化合物ガスのうちの少なくとも一方からなる第1のガスと水素ガスおよび不活性ガスのうちの少なくとも一方からなる第2のガスと酸化性ガスとの混合ガスからなるエッチングガスを用い、アルミニウムを含む化合物半導体を下地層としてアルミニウムを含まない化合物半導体を選択的に熱化学的にエッチングするようにしたことを特徴とする化合物半導体の選択エッチング方法。

IPC (7件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/306 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01S 5/323

FI (5件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18 673 ,  H01L 21/302 P ,  H01L 29/80 H

Fターム (59件)：

5F004BA19 ,  5F004BB26 ,  5F004CA04 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA29 ,  5F004DB19 ,  5F004EA06 ,  5F004EA12 ,  5F004EA23 ,  5F004EA27 ,  5F004EA34 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA99 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC19 ,  5F045AD11 ,  5F045AD13 ,  5F045AF09 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045HA13 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA25 ,  5F073DA26 ,  5F073DA35 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GQ03 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR09 ,  5F102GR10 ,  5F102GT04 ,  5F102HC01 ,  5F102HC16 ,  5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化物系化合物半導体の選択エッチング方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-066536   出願人：ソニー株式会社
• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-095870   出願人：ソニー株式会社
• 半導体の処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-273122   出願人：松本智, ウシオ電機株式会社