特許
J-GLOBAL ID：200903023890593556
電位測定方法及びその装置並びに導通検査方法及びその装置
出願人/特許権者：
株式会社日立製作所
株式会社日立製作所 について
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-091062
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284552
出願日： 1997年04月09日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】本課題は、電子ビーム等の1種類の荷電粒子ビームを用いて被検査試料に対して配線パターンの導通検査を行う際、簡素な構成でチャージアップを低減して安定した検査を行うことができる導通検査方法およびその装置を提供することにある。【解決手段】本発明は、被検査試料1へのチャージアップを中和できるように低真空度に保たれた試料室11内に設置された被検査試料1に形成された所望の配線パターン2、3に対して照射手段により書込用のパルス状荷電粒子ビーム101b、101c、101d、111を照射して電位を付与し、前記被検査試料に形成された所望の配線パターン2、3における所望の個所に対して照射手段により呼出用のパルス状荷電粒子ビーム101a、101d、111を照射して所望の個所から生じる2次電子を検出手段33により検出し、該検出される2次電子に応じた信号から配線パターンの導通に基づく電位の変化を調べて断線欠陥または短絡欠陥を検査することを特徴とした導通検査方法およびその装置である。
請求項（抜粋）：
被検査試料へのチャージアップを中和できるように低真空度に保たれた試料室内に設置された被検査試料上の所望の個所に照射手段により荷電粒子ビームを照射し、該被検査試料上の所望の個所から生じる2次電子を分光検出手段により分光して検出し、該検出される2次電子に応じた信号から前記所望の個所における電位を算出することを特徴とした電位測定方法。
IPC (3件)：
FI (3件)：
引用特許：
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