特許
J-GLOBAL ID：200903023895466935

水素化シリコンオキシカーバイド膜を生産するための方法

発明者：
ロボダ、マーク

ロボダ、マーク について

, 
ファン、ビュン

ファン、ビュン について


出願人/特許権者：
ダウ・コーニング・コーポレイション

ダウ・コーニング・コーポレイション について


代理人 (5件)： 曾我 道照 ,  曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-575353
公開番号（公開出願番号）：特表2004-526318
出願日： 2002年03月20日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：
低い誘電率を持つ、フッ素化水素化シリコンオキシカーバイド(H:F:SiOC)および非晶質フッ素化水素化シリコンカーバイド(H:F:SiC)膜を生産するための方法。該方法は、シリコン含有化合物を、FまたはHに結合した不飽和炭素を持つフッ化炭素またはフッ化炭化水素化合物と反応させることを含む。結果的に得られる膜は、半導体装置の形成において有用である。
請求項（抜粋）：
フッ素化水素化シリコンカーバイド膜を生産するための化学気相蒸着の方法であって、 シリコン含有化合物およびフッ化炭素化合物を含む反応性気体混合物を、基板を含有する蒸着器中へ導入すること 25°C〜500°Cの温度にて該シリコン含有化合物およびフッ化炭素化合物の間の反応を誘導し、水素、シリコン、炭素およびフッ素を含む膜を提供すること を含む方法。
IPC (2件)：
H01L21/314 ,  C23C16/42
FI (2件)：
H01L21/314 A ,  C23C16/42
Fターム (9件)：
4K030BA37 ,  5F058BA20 ,  5F058BC20 ,  5F058BD18 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (3件)

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