半導体加速度センサ

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-148979
公開番号（公開出願番号）：特開2004-354074
出願日： 2003年05月27日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】感度調節を容易に行なうことのできる半導体加速度センサを提供する。【解決手段】加速度を受けて変位する錘部1と、一端がこの錘部1に接続された梁部3,3..と、この梁部3,3..の他端に接続され、当該梁部3,3..を介して上記錘部1を揺動自在に支持するフレーム部2と、上記梁部3,3..に形成され、上記錘部1の変位により上記梁部3,3..に生じる撓み量を検出するピエゾ抵抗Rx,Ry,Rzと、このピエゾ抵抗Rx,Ry,Rzからの電気信号を取り出す電極パッド9X,9Y,9Zとを備えた半導体加速度センサにおいて、上記梁部3,3..の表面に形成されるシリコン窒化膜6であって、設定しようとする感度に応じて、その膜厚が調整されるシリコン窒化膜6を備えてなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

加速度を受けて変位する錘部と、一端がこの錘部に接続された可撓部と、この可撓部の他端に接続され、当該可撓部を介して上記錘部を揺動自在に支持するフレーム部と、上記可撓部に形成され、上記錘部の変位により上記可撓部に生じる撓み量を検出するセンサ部とを備えた半導体加速度センサにおいて、上記可撓部の表面に形成される絶縁膜であって、設定しようとする感度に応じて、その膜厚が調整される絶縁膜を備えて成ることを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (3件)：

G01P15/12 , G01P15/18 , H01L29/84

FI (3件)：

G01P15/12 D , H01L29/84 A , G01P15/00 K

Fターム (11件)：

4M112AA02 , 4M112BA01 , 4M112CA21 , 4M112CA24 , 4M112CA27 , 4M112CA34 , 4M112DA06 , 4M112DA11 , 4M112EA06 , 4M112EA07 , 4M112FA20

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭62-121367
加速度センサおよびその検査方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-359258 出願人：松下電工株式会社
薄膜構造体の形成方法、及び薄膜構造体の応力調整方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-208106 出願人：松下電器産業株式会社

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