特許

J-GLOBAL ID：200903066359976638

薄膜構造体の形成方法、及び薄膜構造体の応力調整方法

発明者： 清水 紀智
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-208106
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026007
出願日： 2000年07月10日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 駆動、検出装置等に用いる薄膜構造体において、内部応力を調整した薄膜を低温でかつ密着性良く堆積し、また堆積後内部応力の調整を低温で行うことが可能な薄膜構造体の形成方法及び応力調整方法の提供を目的とする。【解決手段】 シラン、アンモニア、窒素、水素の原料ガスを用い、シラン/アンモニア流量比1以上の条件でかつ、所望の内部応力に応じた水素ガス流量で、プラズマCVD法にて堆積温度400°C以下で成膜することで、内部応力を調整した薄膜を得ることが可能となり、また、形成後に内部応力を、薄膜堆積温度以上400°C以下で調整することが可能となるため、このような薄膜構造体を応用素子として駆動装置や検出装置に用いれば、これら装置の特性を調整可能とすることができ、特性を安定化することができる。

請求項（抜粋）：

原料としてシラン(SiH4)とアンモニア(NH3)と窒素(N2)とを用い、シラン流量/アンモニア流量比を1以上の条件で混合し、更に水素(H2)を0以上の流量で追加し、プラズマCVD法にて薄膜堆積温度400度以下で成膜を行い、Si/Nの組成比が 1.0以上の組成を有するシリコン窒化膜を薄膜構造体として形成する薄膜構造体の形成方法。

IPC (11件)：

H01L 21/318 ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/56 ,  G01L 9/04 101 ,  G01P 15/10 ,  H01L 29/84 ,  H01L 41/08 ,  H04R 7/02 ,  H04R 31/00

FI (13件)：

H01L 21/318 B ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/56 ,  G01L 9/04 101 ,  G01P 15/10 ,  H01L 29/84 B ,  H01L 29/84 Z ,  H04R 7/02 Z ,  H04R 31/00 A ,  H01L 41/08 Z ,  H01L 41/08 D

Fターム (45件)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF11 ,  2F055GG01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030DA09 ,  4K030FA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11 ,  4M112AA01 ,  4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112BA08 ,  4M112BA10 ,  4M112CA02 ,  4M112CA16 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA10 ,  4M112DA12 ,  4M112EA03 ,  4M112EA04 ,  4M112EA07 ,  5D016AA07 ,  5D016BA01 ,  5D016JA07 ,  5D016JA13 ,  5F058BC08 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BF32 ,  5F058BF33 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-310174   出願人：ソニー株式会社
• 窒化ケイ素薄膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-249103   出願人：日本電信電話株式会社