特許
J-GLOBAL ID：200903023909608223
光化学気相堆積法用プローブ及びその製造方法、並びに光化学気相堆積装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-169459
公開番号（公開出願番号）：特開2002-361595
出願日： 2001年06月05日
公開日（公表日）： 2002年12月18日
要約：
【要約】【課題】 近接場光によって光CVDを行うときに、探針の先端にガスの分解生成物が堆積することを防ぐ。【解決手段】 探針3及び電流通路パターン4を、BをドープしたSiによって連続して形成する。BをドープしたSiは導電性を有している。また、電流通路パターン4は、両方の端部4a,4bが電流供給源5と接続可能とされている。したがって、電流通路パターン4及び探針3へ電流を流すことが可能となり、光化学気相堆積法用プローブ1の温度を上昇させることができる。また、電流供給源5から電流の量を調節することで、探針3の温度を調節できる。この光化学気相堆積法用プローブ1を使用して光CVDを行うときに、探針3をガスが分解しない温度に調節することで、光出射開口部3a上にガスの分解生成物が堆積することを防ぐことができる。
請求項（抜粋）：
先端に近接場光の発生部が設けられており、導電性を有する探針と、上記探針を支持するための支持部材と、導電性を有する材料によって、上記指示部材上に上記探針と接続するように形成されており、電流供給源から探針へ電流を供給する電流通路パターンとを備えることを特徴とする光化学気相堆積法用プローブ。
IPC (6件)：
B81C 1/00
, B82B 3/00
, C23C 16/52
, G01N 13/14
, G12B 21/06
, H01L 21/308
B81C 1/00
, B82B 3/00
, C23C 16/52
, G01N 13/14 A
, H01L 21/308 B
, G12B 1/00 601 C
4K030AA11
, 4K030BA21
, 4K030FA10
, 5F043AA02
, 5F043BB01
, 5F043FF04
, 5F043GG10
